炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)や酸化ガリウム(Ga₂O₃)などのワイドギャップ半導体は広い禁制帯幅、高い絶縁破壊電界を有しており、次世代電力変換素子材料として注目されています。電力変換素子応用に重要な金属-絶縁体-半導体(MIS)トランジスタにおいて、トランジスタ動作安定性とMIS界面特性とは密接な関係があると考えられるため、MIS界面特性評価は重要です。
　我々は図1に示すようなGaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)などのワイドギャップ半導体や化合物半導体のMIS界面の評価と制御について、主に容量-電圧(C-V)特性や電流雑音の解析を通じて研究をしています。