【技術のポイント】

水素も含めた元素・同位体の表面組成を調べることができる。

1. 高感度分析    : ppm ～ ppbオーダの検出感度
2. 元素分析       : 周期律表の全ての元素が対象
3. 深さ方向分析 : 深さ方向の元素分布 (μm ～ nmの範囲)
4. 面内分析       : 面内の元素分布
5. 同位体分析    : ミクロンオーダの領域

• 検出下限    :   ¹H (2.1E16 at/cc) in Si
                    ¹²C (3.1E15 at/cmm) in Si
                    ¹⁶O (2.2E16 at/cc) in Si
• 空間分解能：1.3 ～ 2.0 µm
• 分析エリア： 面500 µm、深さ200 µm

【技術紹介】

　一定量以上のイオンビームを連続的に試料に照射しスパッタリング減少により放出された二次イオンを質量分析計で選別し計測します。 一次イオンビームには化学的に活性なセシウム、酸素を利用し、元素の深さ方向分析や2次元 / 3次元イメージング、元素の同位体分析 (主として無機材料) を得意としている。 また、連続イオンビーム照射による計測のため、TOF-SIMSと比較して、分析に要する時間が大幅に短縮できます。主に磁場型、あるいは四重極型のどちらかの質量分析計が利用されている (熊大SIMSは磁場型)。