【技術紹介・解析例】

STEM法を使って、各種半導体デバイス中の構造解析を行っています。

(走査)透過型電子顕微鏡法 / (S)TEM

特徴

• 空間分解能が高い (原子スケールで観察可能)
• 分光法と併せて元素分布・電子状態も測定可
• 材料中のナノ構造が見える
• 原子位置を精密に測れる
• 電圧印加に対する応答

原子配列 (酸化物半導体中の粒界)	原子位置の精密測定 (強誘電体メモリ)

元素分布 (転位芯の近傍)	ナノ構造 (トランジスタ)	転位 (酸化物基板)	電圧印加で起こる動作 (センサ / アクチュエータ)

その他、解析対象の一例

• ナノ物質 (ナノ粒子、ワイヤ)
• 薄膜
• 二次元物質

など