【技術紹介】

１．窒化物半導体 (GaN) トランジスタ

ワイドバンドギャップ性とヘテロ構造から、以下の2点を兼備

• マイクロ波・ミリ波無線通信を可能とする高速性
• ワット級を扱える大電力性下での高効率性

研究室の取り組み: 通信用及び無線電力伝送用、トランジスタ (増幅器) とダイオード (整流器) の高周波・高効率化

微細ゲート素子構造設計	GaN高周波増幅器評価

GaNダイオード超高効率整流特性実測	GaNトランジスタ発光観察

2．熱解析・放熱技術

熱は電子機器の永遠の課題、素子の微細化とともに一層顕在化

研究室の取り組み: トランジスタの発熱解析と高熱伝導材および接合技術によるソリューション提供