● MoN薄膜における超伝導－絶縁体転移と局在

MgO基板上に反応性DCスパッタリングで成膜したMoN薄膜における超伝導－絶縁体転移(SIT)を研究している。ノーマル面抵抗R_sq^Nの増加に対するT_cの減少は局在理論であるFinkel’ stein式で良く説明できる。臨界面抵抗R_cはR_c ～ 2 Kと予測できる。R_c < R_sq^N < R_Qの範囲ではR_sq(T)は弱局在特性を示すことがわかった。しかしR_sq^N > R_Qの範囲ではR_sq(T)は熱活性型ホッピング特性を示す。熱ゆらぎによる過剰伝導度σ’(T)はAslamazov-Larkin項とペアブレーキングパラメータδを用いたMaki-Thompson補正項の和で解析した。磁場によるSITもMoN薄膜で観測された。SIT点の近傍で全てのR_sq(H,T)データはスケーリング変数の関数としてのプロットにおいて二つのカーブにのった。今回得られた臨界指数値zν ～ 0.6は(2+1)次元古典XYモデルの数値シミュレーションから得られた値に近い。